推荐 国内首个80纳米STT-MRAM器件制备成功

近日,北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。 [更多]

|
器件 制备 储器芯片

用户登录

用户注册

用 户 名:

3-16字,可由中文,字母,数字及”_”组成

密 码:

字符长度在6到16个字符之间

确认密码:
邮 箱:
验 证 码:
换一张?